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无缺陷非晶硅模型首次精准复现实验带隙：机器学习驱动的材料模拟迎来里程碑

非晶硅是光伏和半导体产业的核心材料，但长期以来原子模型在电子结构预测上始终偏差较大。本研究利用机器学习分子动力学生成的无缺陷理想非晶硅模型，辅以杂化密度泛函理论计算，首次精准复现了实验观测的电子带隙，并与经典WWW方法及其他近似模型进行了系统对比，为理解非晶硅的能带尾态、光学性质和输运特性奠定了坚实基础。