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光子级金刚石等离子体刻蚀工艺优化：从衬底减薄到纳米光子芯片的全链条突破

研究团队开发了等离子体刻蚀配方，将单晶金刚石薄膜从10微米减薄至300纳米以下，制造出表面粗糙度<0.5纳米的光子级DOI衬底，并提出基于比色法的厚度评估方法（5纳米分辨率），在DOI上成功制造自支撑光子芯片，为金刚石量子光子器件的可扩展制造提供了完整工艺方案。

光子级金刚石基板的等离子体刻蚀工艺优化与比色法厚度评估

代尔夫特理工大学团队开发了优化的 ICP-RIE 循环刻蚀工艺，将直接键合的金刚石板从 10 微米减薄到 300 纳米，制备出光子级金刚石-绝缘体（DOI）基板。同时提出基于比色法的厚度评估技术，仅需普通光学显微镜即可实现 5 纳米精度测量。该工作为大规模集成金刚石量子光子系统提供了可扩展的制造平台。